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杭州（b）d-SiO/C的循环性能。SiO4四面体位于SiOC纳米域的中心，配网破坏平台SiOnC4（n=0~4）四面体位于SiOC玻璃和游离碳相的界面。

外力（d）原始和预锂化SiO在SiO/NCA全电池中的循环性能。然而，风险防控在锂化/脱锂的过程中Si（~400％）严重的体积膨胀和纳米结构Si高昂的生产成本严重阻碍了其进一步广泛的应用。上线（c）无定形SiO2的原子模型。

在2001年，运行周等人发现市售的SiO2纳米颗粒（~7nm）可与Li反应，提供~400mAhg-1的比容量。1.3.1、浙江智纯SiO负极材料 利用缩小尺寸、构建多孔结构、纳米复合和使用新的粘结剂等策略用于解决SiO基负极的体积变化问题。

Philipp提出了一种随机键合的模型，杭州该模型将SiO描述为均匀的单相材料，具有由随机分布的Si-Si和Si-O键组成的连续Si-(OxSi4-x)的网络。

配网破坏平台（b）可扩展的卷对卷预锂化工艺的示意图。通过用电荷泵改变TENG的结构，外力实现1.02mCm-2的值。

风险防控这使得铁电材料作为TENG输出性能的理想选择。用ICP处理覆盖Kapton薄膜的纳米线阵列，上线来提高表面积，增强表面电荷密度。

运行图16TENG摩擦电磁场诱导的等离子体放电：a）两个串联独立式旋转TENG驱动的非平衡等离子体射流的示意图。浙江智f）TENG驱动器件的示意图。